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半導体関連装置

 

SRF8225N II

■特長

  窒素低消費リフロー炉


  強力な加熱/冷却能力


  新構造によるフラックス対策


省エネ設計(ランニングコスト半減へ)

■低窒素消費量

炉内における乱流(カルマン渦)を極限まで減らす独自の乱流防止構想と、高気密炉体構造により150L/minで酸素濃度500ppm〜任意にコントロール可能です。

■低消費電力

高断熱構造により、加熱8ゾーン構成のリフロー炉において定常運転で消性能費電力7〜10kW(実績値)を実現しました。

低窒素消費量
低消費電力
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加熱性能(強力な加熱/冷却能力+加熱均一性)

加熱性能

新型熱風パネルによる均一で画期的な噴流特性により、鉛フリーに完全対応した強力な加熱能力を有し、熱容量の大きい基板においても再現性の高いフレキシブルな温度プロファイルを実現すると共に、トップレベルの低儺を実現しました。また、最終2ゾーンに上下からの新冷却機構を装備したことにより、更に強力な冷却能力を実現しました。

儺2℃以下 ・250×330×1.6(mm)
・FR4サラ基板
・基板端10mm 7ポイント測定
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フラックス対策(メンテナンスサイクル大幅延長)

■触媒によるフラックスの分解

触媒によるフラックス分解機能を標準装備しており、新構造の触媒分解により、炉内の汚れ・ベト付きの原因となるフラックス内の重炭化水素成分を効率良く分解処理します。

■全ゾーンに装備されたフラックス回収構造

全ゾーンに水冷式フラックス回収機構を標準装備したことにより、更に効率の良いフラックス回収が可能です。

全ゾーンに装備されたフラックス回収構造

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チタンレール採用

熱によるレールの歪みを極力抑える為に、ウォータージェット加工のチタン材によるコンベア搬送レールを採用することにより、より信頼性の高い耐熱真直性を実現しました。
又、レール自身の熱容量を最小限に抑える、中空構造とする事で、基板端まで充分な加熱が可能となり、 T 低減に貢献しています。

チランレール採用

半導体関連装置

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充実標準装備
水冷チラー

■水冷チラー

冷却ゾーンに水冷による冷却ユニットを備えており、安定した窒素雰囲気内で基板を強制冷却します。

基板乗移りローラ

■基板乗移りローラ

前後装置との小サイズ基板の受渡しを補助する駆動式基板乗移りローラを標準装備しています。

可変式ラビリンス開口

■可変式ラビリンス(基板出入り口)開口
(基板上:10,15,20,25mm基板下:15,20,25mm)

ラビルンスの開講は5mm毎に簡単なユニットの差替えで変更可能。搭載部品高さに応じて窒素ガスの流出を最小限に抑える事が可能です。

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オプション
温度プロファイラ

■温度プロファイラ

最大7チャンネルの温度プロファイル測定が可能な、高機能温度プロファイラです。リフロー条件範囲内○×判定機能・各チャンネル詳細データ表示・儺自動算出表示・最大値表示機能はもちろん、自動測定開始及び、自動測定終了機能や、リアルタイム現在温度表示、テンプレート作画機能まで備えた充実内容。又、測定結果を管理する上で必要な、温度条件・コンベアスピード等の基本データが画面内に表示されておりますので、画面データの保存で、一括管理が可能です。

■コンベア自動幅調整

多品種少量生産における段取替え性向上の為、コンベア幅の自動調整が可能です。

コンベアチェーンオイル自動ディスペンサ

■コンベアチェーンオイル自動ディスペンサ

コンベア搬送チェーンへオイルを自動滴下します。

■ピーク電力カット

消費電力が一番大きいリフロー炉立上げ時のピーク電力を独自の制御方式により押えることが可能です。

基板ソリ防止

■基板ソリ防止

 

■無停電電源装置

工場電源の停電時に炉内の残基板を炉外に排出します。

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■主な仕様
本体寸法
全長4,446×奥行1,090×高さ1,350mm(突起物は除く)
パスライン高さ 900±30mm
対象基板寸法 40×50〜250×330mm
部品高さ:上下25mm
ゾーン構成 加熱:8ゾーン
冷却:2ゾーン
搬送チェーン
基板支持寸法:3mm
制御系
PLC(主制御)+PC(表示、操作、プロファイラ)
ユーティリティー クリーンエアー:0.5MPa
窒素ガス:0.5MPa(最大消費流量:150/min.)
電源・電力 三相200V±10V 50/60Hz 35kVA
本体重量 約1,500kg

 

■ゾーン構成

ゾーン構成

 

■寸法図

寸法図

 

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